輸出點(diǎn)數(shù)：12點(diǎn)、源型。
額定電壓：DC5～24V。
最大負(fù)載電流：0.3A。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CH。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、N、L、CE。
新改進(jìn)的特殊I/O單元使得PC應(yīng)用更為容易。
新增加了運(yùn)動(dòng)控制單元、雙軸高速計(jì)數(shù)器單元、8點(diǎn)模擬量I/O單元，
4點(diǎn)模擬量I/O混合單元C200HX-CPU34-ZE
安裝在CPU上特殊I/O單元數(shù)目已從最多10個(gè)增加到16個(gè)，
它更充分利用了C200HX/HG PC的功能，
正確組合特殊I/O單元可以容易地對(duì)被控制系統(tǒng)進(jìn)行管理。
可實(shí)現(xiàn)智能I/O讀寫(xiě)指令。
只執(zhí)行1條指令即可以傳送多個(gè)字的數(shù)據(jù)與C200HS兼容的全部特殊I/O單元都可以照常使用。
SYSMAC C200HX/HG/HE系列逐漸成為受用戶(hù)的喜愛(ài)的強(qiáng)有力的PC。擴(kuò)展底板I/O槽：11槽。
在輸入采樣階段，PLC控制器以掃描方式依次地讀入所有輸入狀態(tài)和數(shù)據(jù)，
并將它們存入I/O映象區(qū)中的相應(yīng)得單元內(nèi)。
輸入采樣結(jié)束后，轉(zhuǎn)入用戶(hù)程序執(zhí)行和輸出刷新階段。
在這兩個(gè)階段中，即使輸入狀態(tài)和數(shù)據(jù)發(fā)生變化，
I/O映象區(qū)中的相應(yīng)單元的狀態(tài)和數(shù)據(jù)也不會(huì)改變。
因此，如果輸入是脈沖信號(hào)，則該脈沖信號(hào)的寬度必須大于一個(gè)掃描周期，
才能保證在任何情況下，該輸入均能被讀入。cmos-ram單元：電容器備份。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸入電壓：AC200～240V。
輸入電流：10mA。
外部接線：拆卸端子塊。
SYSBUS遠(yuǎn)程I/O從站機(jī)架：可以。
占用單元數(shù)：1CH。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：U、C、N、L。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶(hù)的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的高性能、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以最新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。
協(xié)力造就能追蹤市市場(chǎng)速度的生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。
為了構(gòu)筑用戶(hù)及銷(xiāo)售部門(mén)更方便的體系。
歐姆龍積極推進(jìn)現(xiàn)場(chǎng)情報(bào)化與標(biāo)準(zhǔn)化。
由wwindows版梯形程序作為windows環(huán)境中的工具統(tǒng)一。
除適應(yīng)以太網(wǎng)外，對(duì)按照DeviceNet/D，必須提供通信協(xié)議宏的功能等。
由于這種環(huán)境的齊備，才實(shí)現(xiàn)了一呼即出、迅速順應(yīng)市場(chǎng)變化的生產(chǎn)環(huán)境。