輸入點數(shù)：32點。
輸入電壓及電流：DC24V 4mA。
應答時間：1/5/10/20/70ms。
32點1個公共端。
共陽極。
輸出點數(shù)：32點。
輸出電壓及電流：DC12-24V；0.1A/點；2A/公共端。
應答時間：1ms。
32點1個公共端、漏型；40針連接器。
帶熱保護。
帶短路保護。
帶浪涌吸收器Q12DCCPU-V
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
超高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應用程序變得更大更復雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標準RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標準RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結構化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當變址修飾用于反復處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。擴展SRAM卡 2MB
更好的用戶體驗數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應用于啟動時的數(shù)據(jù)分析、追溯等。輸入電壓范圍：AC100-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：6A。
簡化程序調(diào)試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時，需要追加設定軟元件的程序，
而目前通過使用本功能，無需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨執(zhí)行動作。
因此，不需要單獨為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡單。
通過軟元件擴展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴展到60K點，使程序更容易理解。

自動備份關鍵數(shù)據(jù)。
將程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標準ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機時，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復。